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超声波清洗器清洗芯片的方法

超声波清洗器清洗芯片的方法:

以下是芯片表面的清洗方法:

预清洗:用去离子水利用超声波清洗器对芯片进行预清洗,去离子水的温度为50~60度。

碱洗:芯片置于碱性溶液中利用超声波进行清洗,碱性溶液的温度为80~90度,较佳地,该碱性溶液可为氢氧化钠溶液,浓度为2%~5%,清洗时间为5~10分钟,在此步骤中,氢氧化钠溶液的温度不宜过高,如20~25度为佳。

有机溶剂清洗:芯片置于异丙醇和水的混合液中利用超声波进行清洗,时间为5~10分钟,该步骤可有效去除芯片表面的有机残留物。

酸洗:配制柠檬酸和去离子水的混合液,混合液的pH值为5~6。芯片被置于到该酸性溶液中,借助超声波振荡清洗技术,使芯片表面快速进行中和反应。

去离子水漂洗:用去离子水漂洗该芯片,漂洗时间为20~30分钟,经过漂洗,芯片表面的酸液、碱液等清洗液残留被漂洗干净。

碳氢清洗:在上步的去离子水中加入碳氢溶剂,继而排除去离子水。

热焓干燥:将芯片从清洗溶液中取出并进行热焓干燥,该工序利用温度压力的变化,降低芯片上的焓值,使残留液快速蒸发。

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